SiC涂层可以以化学气相沉积( CVD ) ，先驱体转化 、等离子喷涂等方法制，其中化学气相沉积法制的涂层均匀致密，且具有良好的可设计性。重金属捕捉剂以甲基三氯硅烷.( CHzSiCl3, MTS)为硅源，经过CVD方法制SiC涂层是应用该涂层较为成熟的方法。重金属捕捉剂

　　SiC涂层和石墨具有很好的化学相容性，重金属捕捉剂两者热膨胀系数差距较小，使用SiC涂层可以有效改善石墨材料的耐磨性和抗氧化性。其中，反应条件中的化学计量比、反应温度、稀释气体、杂质气体引入等条件对反应的影响程度较大。
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